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分立器件晶圓集成電路

汽車

小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
整流二極管
快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
瞬態(tài)抑制二極管
靜電保護(hù)二極管
MOSFET
功率三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
SiC汽車電子
IGBT汽車電子

整流器件

整流橋
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快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
光伏二極管
焊接二極管

汽車電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

保護(hù)器件

瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號(hào)

小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率三極管

汽車電子小信號(hào)
小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管小信號(hào)肖特基二極管小信號(hào)穩(wěn)壓管小信號(hào)三極管功率三極管小信號(hào)數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
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快速/相控晶閘管

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
SiC汽車電子肖特基二極管
SiC汽車電子MOSFET

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開(kāi)關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

IGBT高頻系列C1模塊

IGBT高頻系列C1模塊 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1.IGBT高頻系列產(chǎn)品主要有C1（34mm）封裝外形；
2.電壓等級(jí)為650V，電流涵蓋100A~200A；
3.產(chǎn)品主要用于工業(yè)焊機(jī)、高頻電源、UPS等高頻應(yīng)用領(lǐng)域；
4.相關(guān)系列產(chǎn)品與市場(chǎng)主流產(chǎn)品完全pintopin替代應(yīng)用；
5.IGBT產(chǎn)品采用環(huán)保物料，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)；

產(chǎn)品特點(diǎn) 1.最高結(jié)溫Tjmax=175℃；
2.低關(guān)斷損耗，適合高頻應(yīng)用；
3.具有超快速和軟恢復(fù)特性的續(xù)流二極管；
4.具有高短路支撐電流能力（6us以上）；
5.使用DBC結(jié)構(gòu)的絕緣性散熱底板；

規(guī)格書(shū)

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