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小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
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超快恢復(fù)二極管
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整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

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瞬態(tài)抑制二極管
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靜電保護二極管
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可控硅
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小信號

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
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汽車電子小信號
小信號開關(guān)二極管小信號肖特基二極管小信號穩(wěn)壓管小信號三極管功率三極管小信號數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
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高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
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IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
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SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
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SiC汽車電子MOSFET

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護芯片

8寸晶圓

集成電路

負載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
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開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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整流橋設(shè)計優(yōu)化新封裝GBU-L

整流橋設(shè)計優(yōu)化新封裝GBU-L 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹揚杰科技近日推出了一款GBU-L設(shè)計優(yōu)化新封裝，對比原封裝GBU，優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計，銅框架減薄創(chuàng)新，達到設(shè)計降本要求，但產(chǎn)品系性能(常規(guī)電性、高溫性能、散熱能力)與原先產(chǎn)品對比，無明顯差異；廣泛用于家電、照明、適配器電源、二輪電動車充電器等市場。

產(chǎn)品特點 1、產(chǎn)品系列覆蓋 4A~15A，50-1000V；
2、采用創(chuàng)新式的減薄框架設(shè)計，減少銅材耗用，降低成本；
3、內(nèi)部結(jié)構(gòu)重新設(shè)計優(yōu)化，芯片排布更加科學(xué)，結(jié)構(gòu)應(yīng)力較??；
4、常規(guī)電性、高溫性能、散熱能力對比原先產(chǎn)品無明顯差異；

規(guī)格書

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